国产电子束光刻机突破
最近有国内媒体报道说，杭州出了全国第一台国产的商业电子束光刻机，这玩意儿的精度跟国际上主流的设备不相上下，意味着咱们在量子芯片研发方面终于有了自己的“中国刻刀”了。
据研发团队的人介绍，这台机器主要是用来做量子芯片和新型半导体的关键环节。它用高能电子束在硅片上“手写”电路，精度能达到0.6纳米，线宽是8纳米。而且它还能灵活修改设计，不需要传统的掩膜版，就像用一根纳米级别的毛笔，在芯片上精准地画图一样，特别适合芯片研发初期反复调试。
以前这类设备受国际出口限制，像中科大、之江实验室这些国内顶尖的科研机构都买不到，现在这台叫“羲之”的设备出来了，应该能打破这个局面。
那有人可能就会问了，电子束光刻机和我们常听说的EUV光刻机有什么区别呢？
其实，电子束光刻机（EBL）是半导体制造中一种非常关键的技术。它的原理是用电子束来“写”图案。具体来说，就是用电子源发射电子束，然后轰击抗蚀剂材料，被电子照射到的地方，抗蚀剂会发生分子结构的变化，从而留下痕迹。再通过电磁场控制电子束的路径，把想要的图案“写”在基底上，比如硅片上。
相比EUV光刻机，电子束光刻机更适合做高精度、小批量的芯片设计，尤其是研发阶段，灵活性更强，但速度可能没那么快。而EUV光刻机则更适用于大规模量产，比如现在的高端芯片制造。两者各有优势，应用场景也不同。
电子束与EUV光刻对比
不过呢，电子束光刻机是那种一个点一个点地慢慢扫描的，速度特别慢，几小时才能“刻”完一片晶圆，效率比EUV光刻机差远了。但它的优点是精度特别高，比如国内的“羲之”电子束光刻机，精度能达到0.6纳米。
相比之下，EUV光刻机用的是极紫外光（波长13.5纳米），它是通过掩模版把图案直接投射到晶圆上，一次就能搞定整片，速度快很多。虽然精度不如电子束光刻机，但像ASML最新出的High NA EUV光刻机，精度也能做到2纳米左右。
所以啊，电子束光刻机更适合小批量、高精度的生产需求，比如说高端芯片的小规模试产、工艺改进，或者做掩模版这些对精度要求特别高的活儿。
而EUV光刻机则主要是用来大规模生产集成电路的，像CPU、DRAM这种商业化的大规模半导体产品，就靠它来量产。
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